Start med en silikon wafer som er .0.55 mm tykk og 10 x 10 cm i firkant . Skiven må ha fullført dopingprosessen, som krever små mengder av bor . Coat skiven i skjærevæskenpå grunn av den ujevne overflaten som følge av den sirkelsag som brukes til å skjære komponenten.
2
Påfør en alkalisk etsing for å rense silikon wafer , og fjerne det ytterste lag . Rengjør wafer så raskt som mulig og til riktig dybde. Varm opp silikonskivei en sintringsovnenved en temperatur på 800-1000 Celsius. Utfør dette trinnet i en fosfor gass setting; Denne prosedyren styrker fosfor i de ytre lagene av wafer
3
Stack to wafere. ; bruke plasmagass for å fjerne krysset rundt kantene av silikonskiver. Plasma etsing fjerner den fremre knutepunkt for å unngå kontakt med baksiden av solcellen . Skjerm ut på baksiden av cellen. Senk skjermen sammen med metallpasta. Bruk sølv lim , noe som skaper en bedre resultater celle med en ryggsiden feltet . Påfør et andre print av sølv lim , noe som skaper en solderable kontakt.
4
Sørg for at det er en skikkelig "snap -off" avstand mellom skjermen og silikon wafer . Flytt nal mekanismen over skjermen . Sjekk hastigheten og trykket på nalen før du fortsetter . Denne handlingen tvinger metallpastagjennom perforeringen i print screen . Plasser cellen i en andre ovn ved en høyere temperatur , men under smeltepunktet for silikon wafer - 1410 grader Celsius . Dette binder metall kontakt til silikon wafer .
5
Fjern skjermen. Skiven har nå et tykt lag av metallpasta. La pastaen til tørk i ovnen , som fjerner organiske bindemidler og løsemidler. Den avfyring trinnet demolishes bak -n laget, som hjelper metallet ta kontakt med p-type bulk . Slå cellen til forsiden og gjenta prosessen . Varm silisium i en sintringsovnenved en temperatur på 500 til 800 Celsius. Dette trinnet fyrer av metall lim og legger de til silikon wafer . Kapsle solcellen i et solcellepanel .