Etsning er selektiv fjerning av materiale . Det er to hovedmåter å etse materiale. En kjemisk ets blir ofte brukt for selektivt å fjerne en viss materiale og samtidig la andre områder av prøven intakt. Et eksempel er bruken av fluorsyre for selektiv fjerning av silisiumdioksid . En annen måte å etse er å plassere prøven i et vakuumkammer og deretter innføre en gass, for eksempel argon. Den argon blir deretter ionisert av et sett av elektroder , og akselerert mot prøven. De ioner bombardere prøven og fjerne materiale . Siden alle deler av utvalget blir bombardert , er det ikke en selektiv etch , og alle overflater utsatt vil ha materiale fjernet .
Reduksjon i Metal Tykkelse
Utsette noen metallic prøve til en etch vil redusere prøvens tykkelse. Dette er ofte det ønskede resultatet av etch. For å fjerne en viss mengde av materialet , må det metall som skal utsettes for etsing i en fast tidsperiode , for eksempel ett minutt. Tykkelsen må da måles for å få en etch hastighet , for eksempel 10 nanometer per sekund .
Film Ruhet
Selv om målet med en etch er å redusere metall tykkelse, vanligvis kommer dette til en pris . Den metalliske film råhet kan være en svært viktig mengde og er vanligvis målt med en enhet som kalles en atommikroskop . Vanligvis , jo lenger et materiale er etset , jo større metallisk film ruhet blir .
Kornstørrelse arkiv
Metallic filmer består av mange millioner av ørsmå korn som er typisk i størrelsesområdet 5 til 100 nanometer. Som metalliske filmer er etset , kan den gjennomsnittlige størrelsen av kornstørrelsen reduseres , men dette er i høy grad avhengig av typen av etse , etse tid og etse strøm dersom det er en ione- ets .